怎么看内存条的芯片识别尺寸？0?三

怎么看内存条的芯片识别尺寸？在保存电脑的时候，我们通常只关注内存容量和内存性能指标，比如DDR266 DDR333。但是你知道吗，同样的内存，根据品牌、出厂日期、批号的不同，性能和稳定性也不一样。本文将重点讨论不同品牌的存储器之间的性能和稳定性差异以及同一品牌但不同批号之间的性能差异。此外，本文还将重点讨论制造和销售假记忆的方法。将为您彻底揭秘正版内存和深圳“油条”的鉴别方法。油条是什么？这里不卖豆浆，相信我会教你怎么做油条。)由于SDRAM已经走到了生命的尽头，将彻底退出市场，所以RDRAM没有得到广泛应用，DDRII内存也没有量产。所以本文只会涉及市面上主流的DDR内存。先说记忆的基础知识，用一句话概括:什么是记忆？内存是随机存取存储器(简称RAM)。RAM分为两类:静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。我们通常称“系统内存”为后者，DRAM。SRAM是一种重要的存储器，广泛应用于各个领域。SRAM的速度很快，在快速读取和刷新的过程中能保持数据的完整性，也就是能保持数据不丢失。SRAM使用双稳态电路来存储数据。为了实现这种结构，SRAM的电路结构非常复杂，经常要用大量的晶体管来构造寄存器来保存数据。使用大量的晶体管需要大量的硅，增加了芯片的面积，无形中增加了制造成本。同样容量的SRAM比DRAM贵很多。所以SRAM只能用于CPU内部的一级缓存和PC平台上内置的二级缓存。而我们所说的“系统内存”应该用DRAM。由于SRAM的高成本，其发展受到了严重的限制。目前只有少数网络服务器和路由器使用SRAM。DRAM的应用比SRAM广泛得多。DRAM的结构比SRAM简单得多，内部仅由一个MOS管和一个电容组成。所以DRAM在集成度、生产成本、体积等方面都比SRAM有优势。目前，随着PC的不断发展，我们对系统内存的要求越来越高。随着WindowsXP的推出，软件对内存的依赖更加明显:在Windows XP中，专业版至少需要180MB的内存，但在实际使用中，128MB就能保证系统的正常运行。所以随着PC的发展，内存的容量会不断扩大，速度会不断提高。好了，我们来说说记忆的速度。我们选择内存的速度取决于CPU的前端总线。比如你用P4A，不需要DDR400就能满足3.2G带宽的需求，因为P4A的前端总线是400MHZ，普通DDR266能提供2。1GB带宽，这种内存适合ATHLONXP低频和duron等低端配置。已经不在主流市场了。DDR333可以为AMD166MHZ外频提供2.7GB内存带宽的巴顿处理器。而DDR400内存和DDR433 DDR450内存将能够提供3.2GB以上的内存带宽，主要用于英特尔的高端P4P4P4E和ATHLON64。当然，以上只是能够满足硬件系统的最低要求。由于p4前端总线的改进，内存和CPU之间的瓶颈问题变得非常严重，新的内部通道技术势必会出现。比如我们后面会简单介绍双通道DDR以及未来的DDR内存。当然，如果你有一个像Duron 1.6G，Athlon XP 1800+(b 01.5V低压版)，P41.8A，AthlonXP2000+，P42.4C Barton 2500+这些CPU潜力最好的内存，那么我推荐你买一个性能级别更高的内存，比如Athlon2000+配DDR333，这样一来，在WINXP系统的实际应用中，我们提出了一个内存容量>内存速度>内存类型的非标准公式，也就是说即使SD256M内存也比128M的DDR400系统快。在选购内存时，我们建议XP系统配备384M以上的内存，以保证系统的快速运行。先说内存的品牌差异。熟悉电脑的朋友都知道，我们经常用的内存品牌有:海盗船Kingsotne Kingmax，宇展南高科三星HY杂牌用的粒子数是EACH和KingsMAN KingRAM。海盗船的内存主要用于服务器。我们买电脑的时候推荐金士通的VALUERAM盒装内存和宇展盒装内存(推荐英飞凌颗粒)，提供内存终身保修。你可以放心使用它们。如果资金不是很充裕，建议买HY的内存。实践证明，HY的内存兼容性在所有内存中首屈一指。但是HY的记忆中充斥着假货，下面会提到制假售假的方法。如果你想买HY的内存，那么我建议你一定要买瑞格代理或者金霞代理的盒装正品。想便宜的选择散装条子，就要考考眼力了。基本上不建议你买名牌内存，使用寿命和质量保证都差强人意。最后，不推荐Kingmax内存，因为它和某些主板的兼容性不是很好，但是它本身的质量和性能绝对一流。我们希望你买的时候一定要试试，看看有没有兼容性问题。再来说说同品牌内存的选购。我来解释一下一些品牌内存颗粒数的含义:HY XX XX XX XX XX XX XX-XX 1 234 5678 9 10 11？12这是市面上流行的现代内存的标签。相应位置的1:不用我说，当然是HY生产的粒子。2.内存芯片类型:5D:DDR SDRAM 3:工艺和工作电压v: CMOS、3.3V U: CMOS、2.5V 4:芯片容量和刷新率:64 :64m、4kref 66 :64m、2kref 28 :128m、4kref 56 :256m、8kref 12 :512m、8kref 5:芯片结构(数据宽度)4: x4(数据宽度4bit，下同)8F :FBGA 11:工作速度:33:300 NHZ 4:250 MHz 43:233 MHz 45:222 MHz 5:200 MHz 55:183 MHz K:DDR 266 a H:DDR 266 b L:DDR 200我们再来看看Kingstone。kvr * * * x * * c */* * 123456781。Kvr代表金士顿值RAM 2。外部频率速度3。一般是X 4.64，表示没有ECC；72代表ECC5。笔记本专用内存有个S字符，普通台式机或服务器内存没有S字符6.3:CAS = 3；2.5:CAS = 2.5；2.CAS = 27。分离器8。内存容量我们以金士顿的ValueRAM DDR的内存号为例:ValueRAM KVR400X64C25/256为内存。金士顿ValueRAM外频400MHZ CAS=2.5 256M无ECC校验的内存我觉得通过上面的方法大家更方便的了解和选购内存。接下来我会强调一些关于内存的常见问题:1。单面双面记忆和单排双排有什么区别？单面存储器和双面存储器的区别在于，单面存储器的存储芯片都在同一面，而双面存储器的存储芯片分布在两面。单银行和双银行的区别是不一样的。Bank在物理上理解为从北桥芯片到内存的通道，每个通道通常是64bit。主板的性能主要取决于它的芯片组。不同的芯片组支持不同的银行。比如Intel 82845系列芯片组支持4个bank，而SiS 645系列芯片组可以支持6个bank。如果主板只支持四个银行，但我们用六个银行，多出来的两个银行就白白浪费了。双面不一定是双排，也可以是单排，这点要注意。2.内存的2-2-3通常是什么意思？这些电脑硬件文章中经常出现的参数是主板BIOS中内存参数的设置。一般来说，2-2-3依次指tRP(行预充电时间)、tRCD(RAS到CAS延迟时间)、CL(CAS延迟时间)。TRP是RAS cas潜伏期，数值越小越好；TRCD是RAS到CAS的延迟，数值越小越好；CL(CAS Latency)是CAS的延迟时间，是垂直寻址脉冲的反应时间，也是衡量某一频率下支持不同规格的存储器的重要标志之一。3.内存双通道技术和单通道技术有什么区别？什么是双通道DDR技术？需要说明的是，并不是我前面说的D D R I，而是一种可以让两个D R内存* * *一起使用，并行传输数据的技术。双通道DDR技术的优势在于可以让内存带宽翻倍，这一点对于P 4处理器来说不言而喻。400M H z前端总线的P 4 A处理器与主板之间的数据传输带宽为3.2G B /s，533 M Hz前端总线的P4B处理器为4.3G B/s，P4C处理器为800MHZ前端总线，需要6。4 G内存带宽。但是目前除了I850E支持的R ambus P C10 66规格之外，没有满足处理器需求的内存，我们最常用的DDR333本身也只有2.7Gb/s的带宽..DDR400只能提供3.2G /s的带宽。换句话说，如果我们构建一个双通道DDR400内存，理论上它将提供两倍于DDR400的带宽。这将从根本上解决CPU和内存之间的瓶颈问题。4.现在的DDR-ⅱ和DDR内存有什么区别？DDR-II内存是相对于目前主流的DDR-I内存，它们的工作时钟预计是400MHz或者更高。主流内存市场会直接从现在的DDR-333产品过渡到DDR-II。DDR-II内存将采用0.13微米工艺，容量为18MB/36MB/72MB，最大288MB。字节结构为X8，X18，X36，读取响应时间为2.5个时钟周期(此段因搜狐限制无法发送)。最后，我将提供以下信息。(以下文字未经内存厂商证实，仅为作者长期经验积累，不承担相应法律责任。特此声明，目前的假内存主要集中在HY普通条和一些大规模内存(比如这几天闹得沸沸扬扬的Kingmax)。其中，大厂的记忆棒相对容易识别。一般来说，大厂盒装的正品内存都含有它的内存颗粒或者PCB上会有厂家的激光防伪标签。内存标签清晰，字体规范，Kingmax等品牌的内存也有800免费防伪咨询电话。现场打电话就能看出记忆的真实性。因为大厂商的内存价格比较透明，所以你买内存的时候只要不想便宜，应该可以买到正版的大厂商的内存。现在最难鉴定的是HY的记忆。据笔者调查，市面上HY的批量内存50%以上都是假货，但假货也是分等级的。有“良心”的假货，就是我们通常所说的高论。最常见的就是用有机溶剂清洗HY的记忆颗粒表面，然后标注记忆性能较高的数字。比如将DDR266的内存打磨成DDR333的内存出售或者打磨成Kingstone、Kingmax等大厂的内存出售，以此谋取利益。这种内存在容量上是没有问题的，但是因为一般都是超标准频率使用，必然会导致系统不稳定。这种记忆一般很容易分辨。只要用手摩擦一下记忆颗粒的表面，用指甲刮一下，就可以轻松去除表面的字迹，从而辨别真假。但是，一些聪明的造假者对内存的表面进行了特殊处理，让你无法轻易抹去字迹。对于这种记忆，就要考验你的眼力了。一般来说，真正的记忆笔迹是用激光印在记忆颗粒上的，会在记忆颗粒上留下痕迹。打磨记忆的奸商必然会掩盖这些痕迹。好像字体没那么规范，字的大小也不是很一致。字体的边角不够光滑。识别相似记忆需要一些被杀很久的老鸟。接下来我给大家讲一个最恶毒的造假方法，就是本文开头提到的“油条”。我简单说一下制作这种记忆的“过程”。这种记忆主要生长在中国南方省份，尤其是深圳。首先，无良奸商以极低的价格(1000元一吨)从国外购买洋垃圾，或者几乎不花任何成本在中国市场购买烧毁或损坏的内存条，将这些内存放在一个大油锅里，去掉焊锡，去掉焊点和内存表面的字迹。然后用香蕉水(剧毒，有强烈的刺鼻气味)进行清洗。然后，挑出同样的芯片再次焊接在PCB上，再标上内存号出售。这样的一千块内存，以256M为例，购买价格也不过120元左右。可以说是相当划算，从而成为无良奸商手中的“极品”牟取暴利。这种内存可以说是既没有性能，也没有稳定性。但是，我们不得不佩服中国人的造假手段。他们把这种内存做的和HY内存一模一样，只是内存PCB的颜色看起来有点不均匀。不过这种记忆基本上是很容易分辨的。买内存的时候不要只看内存的表面字迹。你要注意，内存粒子右下角的内存号一般都是数字，比如56787。这种记忆被大量处理。一般你会发现一个内存中有两种或两种以上的内存粒子。只要抓住这一点，基本上就能鉴别出这个假记忆。此外，我们还能闻到记忆的味道。会有一些回味(香蕉水的味道)。最后，我劝你在购买内存的过程中，不要贪图几十块钱的小便宜，这会给你的系统带来不稳定，甚至导致整机故障。希望通过这篇文章，能对你选购内存有所帮助。希望大家都能买到性能稳定的一流内存。不同品牌的内存有不同的看法。我收集了一些常见品牌的内存读取方法供参考:DDR SDRAM: HYNIX DDR SDRAM，颗粒数:Hyxx XX XX XX XX XX XX XX-XX x 12345678 9 1011112-6543。8+03 14整个DDR SDRAM颗粒的序列号，一个* *由14组数字或字母组成，分别代表内存的一个重要参数。了解他们就相当于了解现代记忆。粒子数解释如下:1。HY是HYNIX的缩写，意思是粒子是现代产物。2.内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM) 3..加工工艺和电源:(v:vdd = 3.3v &；VDDQ = 2.5VVDD = 2.5V & amp；VDDQ = 2.5VVDD = 2.5V & amp；VDDQ = 1.8V；VDD = 1.8V & amp；VDDQ = 1.8V) 4。芯片容量密度和刷新率:(64: 64M4K刷新；66: 64m2k刷新；28: 128m4k刷新；56: 256 m8k刷新；57: 256 m4k刷新；12: 512M8k刷新；1g: 1g8k刷新)5。内存芯片结构:(4 = 4个芯片；8 = 8个芯片；16 = 16个芯片；32 = 32个芯片)6。内存条(存储位):(1 = 2条；2=4银行；3 = 8银行)7。接口类型:(1 = SSTL _ 3；2 = SSTL _ 2；3 = sstl _ 18) 8。内核代码:(空白=第65438代+0；A=第二代；B=第三代；c = 4代)9。能耗:(空白=普通；L=低功耗型)10。封装类型:(t = tsopq = LOFP；f = FBGA；FC = FBGA(UTC:8x 13毫米))11。包栈:(空白=正常；s =海力士；K = M & ampt；J =其他；M=MCP(海力士)；Mu = MU= MCP(UTC)) 12。+02.包装材料:(空白=普通；P=铅；H =卤素；R=铅+卤素)13。速度:(D43 = DDR 400 3-3-3；D4 = DDR 400 3-4-4；J = DDR333m = DDR 333 2-2-2；K = DDR266AH = DDR266BL = DDR 200) 14。工作温度:(I=工业常温(-40-85度)；E=膨胀温度(-25-85度))由以上14标注。不难发现，其实最后我们只需要记住数字2、3、6、13的实际含义，就可以很容易的识别出使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品。尤其是13这个数字，它会明确的告诉消费者这个内存的实际最高工作状态是什么。如果一个消费者买了一个这里显示为L的产品(也就是只支持DDR200)，注意:有些代码没那么长，但是基本数字还是有几个的。LGS的记忆可以说是目前市场上看到最多的，所以LGS应该排在第一位。LGS的内存编码规则是:GM 72 x xx x xx x xx xx 1 2345 678 9 1 11定义:1，GM代表LGS公司。2和72代表SDRAM。3.v代表3V电压。4.存储单元容量和刷新单元:其中:16: 16m，4K刷新；17: 16m，2K刷新；28: 128m，4K刷新；64: 64M，16K刷新。65: 64m，8K刷新；66分64秒，4K刷新。5.数据带宽:4: 4位，8: 8位，16: 16位，32: 32位。6.芯片构成:1: 1 Band，2: 2:2BANK，4: 4:4BANK，8: 8:8BANK 7，I/O接口:一般为1 8，产品系列:从A到F. 9 .功耗:空白正常，L为低功耗10，封装方式:T(TSOP) 11，速度:8: 8:8NS，7K: 10 ns (Cl2)，7J (10)。3)、10K(10n s[15 ns]，PC66)、12(12NS，83HZ)、15(15NS，66HZ)。HY的编码规则:HY 5x XXX XX XX XX-XX XX 1 2345 678 9 1 1定义:1，HY代表现代。2，一般57，代表SDRAM。3、工艺:空白是5V，V是3V。4.内存单位容量和刷新单位:16: 16M4K刷新；64: 64m，8K刷新；65: 64m，4K刷新；128: 128m，8K刷新；129:128m 4K刷新。5.数据带宽:40: 4位，80: 8位，16: 16位，32: 32位。6.筹码构成:1:2:4 bank；，2: 4银行；3:8银行；7.I/O接口:一般0 8。产品线:来自A-D系列9。电量:空白正常，L为低功耗。10，封装:TC(TSOP) 11，速度:7: 7:7NS，8: 8:8NS，10p:10 ns(Cl2 &；3)，10s: 10ns，(PC100，CL3)，10: 10ns，12: 12NS+02ns，15: 6552。三星的logo不太好读，而且三星的产品线比较齐全，所以品种比较多，仅供普通SDRAM参考。SEC编码规则:KM 4xxx sx0xt-x 1234567 89 1011，km代表SEC三星，这里的编码一般为4。2.数据带宽:4: 4位，8: 8位，16: 16位，32: 32位。3，一般是S 4，这个数乘以S前面的位数就是内存的容量。5，一般0.6，芯片组成:2: 2:2BANK，3: 4 Bank 7，I/O接口:一般0.8，版本号9，封装方式:一般T: TSOP 10，功耗:F低功耗，G普通11，速度:7。3)，L:10NS(CL3)，10:10NS .4.MT(美光红星美凯龙)红星美凯龙是美国著名的电脑制造商，同时也是电脑设备制造商。其内存产品在全美都很有名，被机器广泛使用。红星美凯龙内存质量过硬，但价格略高于韩国产品。Mt 48 XX XX M XX AXTG-XX X 123456789 101，MT代表红星美凯龙美光2，48代表SDRAM。3，一般LC:普通SDRAM 4，这个数乘以m后的位数就是容量。5，一般是M 6，位宽:4: 4位，8: 8位，16: 16位，32: 32位7，AX代表写恢复(twr)，A2代表twr=2clk 8，TG代表TSOP打包模式。9.速度:7: 7:7NS，75: 7.5 ns，8x: 8 ns(其中X从A到E:读取周期为333，323，322，222，222，所以D和E更好)，10: 10ns65438。5.日立日立是日本著名的微电子制造商。虽然它的内存在市场上不算大，但是质量还是不错的！HM 52 XXX 5 xxxt-xx 1 23456789 1，HM代表日立。2，52代表SDRAM，5 1代表EDO 3，容量4，位宽:40: 4，80: 8，16: 16，bit 5，一般为5 6，产品系列:A-F 7，功耗:L为低功耗，空白为普通8。3)，B60: 10 ns (CL3) 6。西门子西门子是德国最大的工业公司，产品通用。西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一(另一个是飞利浦)。西门子的内存产品多为台湾省代工，产品质量还不错。HYB 39S XX XX XX TX-x 1 23456789 1，HYB代表西门子2，39S代表SDRAM 3，容量4，位宽:40: 4位，80: 8位，1 6: 16位5，一般0 6，产品系列7，一般T 8，L为低功耗，空白为普通9，速度:6: 6:6NS，7: 7:7NS，7.510: 10NS+00ns七。富士通富士通是日本专业的计算机和外部设备制造商。其内存产品主要供应给OEM厂商，市场上零售产品很少。MB81x xxxxx x2x-xxxxfn 123456789 1，MB 81代表富士通的SDRAM 2和PC100的标准，常用内存为1 3，容量为4，位宽为4位。16: 16位，32: 32位5。芯片构成:22: 22:2BANK，42: 42:4BANK 6。产品系列7。速度:60: 6 ns，70: 7 ns，80: 8 ns，102: 65438+。3)、103: 10ns (CL3)、100: 10ns、84: 12NS、67: 15ns八。东芝东芝是日本著名的电器制造商。市面上很少见到东芝的内存产品。Tc59S xx xx ft x-xx 1 2345678 1，Tc代表东芝2，59S代表普通SDRAM 3，容量:64: 64mbit，128:128MBIT 4，位宽:04: 4位，08: 8位，16: 16位，32: 32位5。产品系列:A-B 6，FT为TSOP包模式7，空白为普通，L为低功耗8，速度；75:7.5纳秒，80:8纳秒，10:10纳秒(cl3) 9。三菱(MITSUBISHI)三菱是日本的一家汽车制造公司。因为多元化发展，在it行业和家电行业也有产品。三菱的微集成电路技术与众不同，所以也因为速度快而在内存领域占据一席之地。普通SDRAM在市场上很少见，因为比较贵。M2 v xx s x0xtp-xx x 1 234 56789 1 1，M2代表三菱产品2，I/O接口。一般是V 3，容量4，S的意思是SDRAM 5，位宽:2: 4，3: 8，4: 16，bit 6，一般是0 7，产品系列8，TP代表TSOP包9，速度:8 a: 8 ns，7: 10 ns (Cl2 & 3)，8:10NS(CL3)，10:10NS .10，空白是正常，L是低消费。